报告时间：2026年4月18日（星期六）09:30
报告地点：藕舫楼205
报告题目：光学纳腔调控二维激子谷极化和辐射特性
报告专家：雷党愿教授
香港城市大学材料科学及工程学系、物理学系
邀请人/主持人：郑改革教授
报告摘要：二维半导体具有丰富的激子态，包括自旋禁戒层内暗激子、动量禁戒层间暗激子和携带赝自旋的谷激子等，均有成为量子比特和量子存储单元的潜力。然而，受光学跃迁选择定则限制，自由空间光谱技术在室温下难以直接探测这些暗激子态；谷间电子-空穴交换相互作用和谷内电子-声子散射等过程导致携带谷信息的谷激子发生快速退极化，阻碍了其用于室温高性能光量子器件的进程。
报告人基于对称破缺光学纳腔的极端光场调控特性，在能量和空间上将纳腔特定模式与二维激子进行选择性近场耦合，利用等离激元-激子弱耦合和强耦合效应分别实现了室温下暗激子辐射特性和谷激子极化特性的按需操控(Science Advances 2026, 12, eaea5781; Nature Communications 2026, 17, 2444)，为发展新型片上光源和信息存储器件做好了物理基础。
报告人介绍：雷党愿，香港城市大学教授，功能光子学研究中心副主任，伦敦帝国理工学院博士和首席副校长访问教授，香港青年科学院院士，国家优秀青年科学基金（港澳）获得者。长期从事等离激元纳米光子学中的非线性和量子尺寸效应及二维半导体中光子-激子-声子耦合的超快光谱研究，特别关注纳腔增强光与物质相互作用的经典和量子物理机制及智能光子器件在传感、成像和能量转换方面的应用。迄今共发表学术论文280余篇，包括3篇Nature Energy, 1篇Nature Materials, 12篇Nature Communications和3篇Science Advances等，总引用18500余次，h-index是76。
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2026年4月15日
